【環球網財經綜合報道】全球芯片設計自動化工具龍頭新思科技（Synopsys）首席執行官蓋思新（Sassine Ghazi）近日發出警示，由人工智能基礎設施熱潮引發的存儲芯片供應緊張與價格上漲，可能會持續到2027年。這一判斷加劇了市場對全球半導體供應鏈結構性失衡的擔憂。
蓋思新在接受采訪時指出，當前存儲芯片的緊張局面預計將持續到2026年甚至2027年。其核心原因在于，頭部制造商生產的大部分內存芯片“幾乎全部流向AI基礎設施”，導致智能手機、個人電腦、汽車乃至消費電子等其他市場需求受到嚴重擠壓，因為已沒有多余產能可供分配。
這場短缺的核心驅動力是AI服務器對高性能存儲的龐大需求，尤其是高帶寬存儲器（HBM）。HBM通過先進封裝技術將多塊DRAM芯片垂直堆疊，能提供遠超傳統內存的數據傳輸速率，是訓練和運行大模型的必需組件。然而，生產HBM消耗的晶圓產能遠高于傳統DRAM。行業分析指出，HBM每比特容量所消耗的晶圓產能約為傳統DRAM的3倍。為滿足像英偉達這樣巨頭的訂單，三星、SK海力士和美光三大存儲巨頭將大量產能轉向HBM，直接導致標準DRAM和NAND閃存的出貨量被“吞噬”。
盡管主要存儲芯片廠商正在計劃擴大產能，但蓋思新強調，從投資到生產線真正投產，至少需要“兩年時間”，這決定了緊缺格局在短期內難以緩解。券商研究也佐證了這一觀點，新增產能主要集中在2027年及以后釋放，2026年行業將呈現需求快速增長而供給釋放滯后的結構性錯配。
持續的供應緊張正推動存儲芯片價格強勁上漲，一些分析將此輪行情稱為“超級周期”。研究機構Counterpoint預測，存儲價格在2025年第四季度至2026年第二季度間可能經歷多輪顯著上漲。這對于下游終端廠商意味著成本壓力陡增。有分析指出，在高端智能手機中，存儲部分的成本可能已占到整機物料清單（BOM）的20%甚至更多。聯想首席財務官也曾表示，入門級設備將率先感受到成本上升的壓力。（陳十一）
蓋思新的言論并非孤例。就在兩周前，美光科技全球運營執行副總裁Manish Bhatia也表達了類似觀點，認為由于AI對高端半導體需求激增，存儲芯片的緊缺狀況將持續到2026年之后。市場研究機構Counterpoint的分析師甚至形容，“跟蹤內存行業近20年了，這次真的不同……這真的是有史以來最瘋狂的時期。”
從歷史來看，內存芯片行業以其強烈的周期性波動著稱，在短缺與過剩之間循環。但本次由AI引發的需求被普遍認為具有“結構性”和“持久性”特征，正在重塑行業的增長邏輯。正如蓋思新所言，“現在對存儲芯片廠商來說，是一個黃金時代。”然而，這個“黃金時代”對全球電子產業供應鏈帶來的挑戰，才剛剛開始顯現.
